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本产品不涉及投顾咨询或投资顾问服务，所展示的信息不构成投资建议，信息仅供参考，历史数据不代表未来收益。
任何指标、策略或模型均存在局限性，请投资者根据不同的行情合理运用。数据力求准确但不保证，历史数据不代表未来收益。投资有风险，入市须谨慎。(数据来源于公开数据)
报告期： 2025-12-31（发布日期：2026-01-24）
类型：预增
内容：营业收入变动36.62%
原因： 预计2025-01-01至2025-12-31营业收入为123.85亿元;与上年同期相比变动33.19亿元;同比变动36.62%。 业绩预告原因说明: 公司2025年度业绩预计较上年同期增长的主要原因如下: 1.公司主营产品等离子体刻蚀设备作为半导体前道核心设备之一,市场空间广阔,技术壁垒较高。公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可,针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升,先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。 公司在新产品开发方面取得了显著成效,近两年新开发出十多种导体和介质薄膜设备,目前已有多款新型设备产品进入市场,其中部分设备已获得重复性订单,LPCVD设备累计出货量突破三百个反应台,其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进;公司EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。 公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位,积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的市场,并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得了良好进展,几款MOCVD新产品进入客户端验证阶段。公司新型八寸碳化硅外延设备、新型红黄光LED应用的设备已付运至国内领先客户开展验证,目前进展顺利。 公司在南昌约14万平方米的生产和研发基地、上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已经投入使用,保障了公司销售快速增长。公司持续开发关键零部件供应商,推动供应链稳定、安全,设备交付率保持在较高水准,设备的及时交付也为公司销售增长提供有力支撑。公司特别重视核心技术的创新,始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入,同时公司运营管理水平持续提升,对产品成本及运营费用的控制能力有效增强。 2.归母净利润同比增加4.64亿元至5.64亿元(增加约28.74%至34.93%)的主要原因:(1)2025年营业收入增长36.62%下,毛利较去年增长约11.45亿元。(2)由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长,2025年公司显著加大研发力度,以尽快弥补国产半导体设备短板,积极赶超,为长期持续增长打好基础。2025年公司研发投入约37.36亿元,较去年增长12.83亿元(增长约52.32%),2025年研发投入占公司营业收入比例约为30.16%,远高于科创板上市公司均值。2025年研发费用约24.72亿元,较去年增长约10.54亿元(增长约74.36%)。(3)由于二级市场股价波动以及公司出售了部分持有的上市公司股票,经评估师初步评估,公司2025年计入非经常性损益的股权投资收益为6.11亿元,较上年同期的股权投资收益的1.98亿元增加约4.13亿元。 3.扣非后归母净利润同比增加1.12亿元至2.12亿元(增加约8.06%至15.26%)的主要原因:主要由于2025年营业收入增长36.62%,毛利较去年增长约11.45亿元,以及2025年研发费用较去年增长约10.54亿元。
注：年度后标E表示为预测业绩，预测市盈率当前股价与机构盈利预测业绩之比。
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